Транзисторы, диоды и т.д. Транзисторы импортные

Фильтр по названию.

Выбран фильтр: G__...IPA Показать все

>... >2SA...2SA >2SB...2SB >2SC...2SC >2SD...2SD >2SJ...2SK

>2ST...AP >APM...B >BC_...BC >BCP...BDX >BF_...BSX >BT_...BU

>BUD...CEF >CEP...FDS >FDV...FZT >G__...IPA>IPB...IRC >IRF...IRF

>IRG...IRK >IRL...IRL >IRP...MJ >MJB...MMB >MMD...PHD >PHE...RS

>RSF...SMK >SMP...STF >STG...STU >STW...TIP >TK_...YJM >YJP...ZXT

Наименование	Розн. цена	Мин. цена	Нал.	Норм. отп.

G30N60 (SGP30N60) (IGBT 600V,30A,2.5V, 150°C) TO-220 транзистор	480	475	П есть

G30N60HS (SGP30N60HS) (IGBT 600V,30A,2 50W,30KHz без диода) TO-220 транзистор	305	300	П есть

G30N60HS (SGW30N60HS,HGTG30N60HS) (IGB T 600V,30A без диода High Speed IGBT i n NPT-technology) TO-247 транзистор	660	650	П есть

G47N60S (SiHG47N60S,FMH47N60S1,SPW47N6 0S5,47N60S) (Power Transistor Vds=600V ,Ids=47A,Rds=0,07 Om c диодом) TO-247 транзистор	1115	1100	П есть

G60N100BNTD (FGL60N100BNTDTU) (IGBT 10 00V,60A,72W NPT Trench IGBT с диодом w ith diode) 2-21F2C транзистор	1040	1025	П есть

G80N60UFD (IGBT 600V,80A,195W с диодом with diode) TO-3P транзистор	680	665	П есть

G160N60UF (SGL160N60UF) (IGBT 600V,160 A,250W) TO-264 транзистор	1210	1195	П есть

GFB50N03 (N-CHANNEL 50A 30V 62.5W) TO- 262 (D2-PAK) транзистор	135	130	П есть

GP28S50XN247 TO-247 транзистор	475	470	П 1шт.

GP47S60X TO247 транзистор	435	430	П есть

GP60S50X TO-247AB-3 транзистор	690	680	П есть

GS66504B-E01-MR 650В 15А GaN Systems т ранзистор	7220	7165	П 42шт.	2

GT30F122 TO220F транзистор	225	220	П 1шт.

GT30G122 (IGBT 400V,30A) TO-220F транз истор	250	245	П есть

GT30G124 (Power IGBT 200A 430V) TO-220 F транзистор	225	220	П есть

GT30F126 (30F126) (IGBT 330V,200A Disc rete IGBT) TO-220F транзистор	245	240	П есть

GT30J127 TO220 транзистор	205	182.24	П 10шт.

GT30F131 (30F131) (IGBT 360V,200A Disc rete IGBT TO-220SM(MXN)) TO-263 (D2-PA K) транзистор	195	190	П есть

GT30F131 TO-220F TO-263S транзистор	170	159.61	П 5шт.

GT30J322 (Q) (30A, 600V) (IGBT 600V,30 A,15W с диодом with diode) 2-16F1A тра нзистор	700	690	П есть

GT35J321 (IGBT 600V,50A с диодом with diode) 2-16F1A транзистор	635	625	П есть

GT45F122 (IGBT 300V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	310	305	П есть

GT45G122 (IGBT 400V,200A,25W,Usat=2.7V ) TO-220F транзистор	395	390	П есть

GT50J325 (IGBT 600V,50A, 240W, 0.05 uS с диодом with diode) 2-21F2C транзист ор	2710	2665	П есть

GT55N06D5 DFN5X6-8L GOFORD транзистор	56	54	П 43шт.	100

GT60N321 (Q) (60A, 1000V) (IGBT 1000V, 60A с диодом with diode) 2-21F2C транз истор	1040	1025	П есть

H11G1SM SMDIP6 ON транзистор	605	528.39	П 660шт.	10

HD1750FX (NPN hi-res, 1700V, 24A, 75W, Tf<250nS) TO-3PF транзистор	315	310	П есть

HGTG11N120CND to-3P транзистор	700	685	М 2шт.

HGTG40N60A4 TO-247 транзистор	575	565	П 2шт.

HGTG40N60A4 TO247AC транзистор	510	488.4	П 5шт.

HUF75229P3 TO-220 транзистор	235	230	П 2шт.

G7N60A4D d2pak,to-263 транзистор	205	200	П 1шт.

G8N80F TO-220F T&R RoHS Goford Semicon ductor транзистор	79	67.34	П 950шт.	50

G30T60 (IGW30N60T) AC to-247 транзисто р	650	568.59	П 43шт.

G60N100B TO264 60A 1000V IGBT- на свар очн.аппарат 3фазн. транзистор	955	945	П 1шт.

GA600HD25S транзистор	25520	25520	П <10шт.

GFI60N03 транзистор	300	271.57	П >10шт.

GI40T03 TO-251-3 транзистор	120	115	П есть

GT30F122 TO-220 транзистор	260	255	П 2шт.

GT30F122 to220F пластик транзистор	180	158.96	М 63шт.

G16P03S SOP-8 GOFORD транзистор	41	33.41	П 35000шт.	30

GT30G122 to220F пластик транзистор	145	135.26	П 15шт.

GT30J122 A to-3P транзистор	175	170	П есть

GT30J122 TO-3P(N)IS транзистор	675	660	П есть

GT30F123 to220F пластик транзистор	165	160	М 2шт.

GT30G123 to220F пластик транзистор	300	261.23	П 94шт.

G60N100BNTD TO-264-3 транзистор	820	810	П есть

HY3210P TO-220FB-3L транзистор	195	190	П есть

GT30F124 to220F пластик транзистор	44	36.41	М 175шт.